Disque SSD Samsung 870 QVO 4 To
Caractéristiques
Général | |
Type de périphérique: | Disque SSD - interne |
Capacité: | 4 To |
Cryptage matériel: | Oui |
Algorithme de chiffrement: | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND: | Cellule à quatre niveaux (QLC) |
Format: | 2.5" |
Interface: | SATA 6Gb/s |
Taille de la mémoire tampon: | 4 Go |
Caractéristiques: | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
Largeur: | 69.85 mm |
Profondeur: | 100 mm |
Hauteur: | 6.8 mm |
Poids: | 54 g |
Performances | |
Endurance SSD: | 1.44 PB |
Débit de transfert interne: | 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire 4 Ko: | 11000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko: | 35000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: | 88000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko: | 98000 IOPS |
Fiabilité | |
Fiabilité MTBF: | 1,500,000 heures |
Expansion et connectivité | |
Interfaces: | 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches |
Baie compatible: | 2.5" |
Alimentation | |
Consommation électrique: | 3.3 Watt (moyenne) 5.5 Watt (maximum) 0.045 Watt (inactif) |
Caractéristiques d’environnement | |
Température minimale de fonctionnement: | 0 °C |
Température maximale de fonctionnement: | 70 °C |
Résistance aux chocs (en fonctionnement): | 0.5 ms half-sine |
Résistance aux chocs (au repos): | 1500 g @ 0,5 ms |
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